Mémoires intégrées – Fonctionnement, choix, utilisation

Description

Des RAM aux ROM en passant par les EPROM, REPROM et EAROM : l’arsenal complet des technologies de stockage pour sélectionner la puce adaptée à votre application

(Pourquoi distinguer les mémoires à accès aléatoire des structures séquentielles ou associatives ?)

Sommaire

Appréhendez l’arsenal des technologies de stockage et analysez les critères structurels des puces électroniques

D’abord, l’auteur dresse un inventaire rigoureux de tous les composants de stockage disponibles sur le marché.

Ainsi, il classe de manière fonctionnelle ces différents éléments électroniques.

Ensuite, vous explorez la distinction capitale entre les mémoires à accès aléatoire et séquentiel.

Pour cela, vous étudiez les structures des mémoires RAM et des mémoires mortes.

Puis, vous analysez l’organisation interne d’un circuit type.

Alors, vous évaluez des facteurs critiques comme le temps de cycle et la consommation électrique.

De fait, vous mesurez précisément la volatilité des données.

Enfin, l’étude aborde la destructibilité et le coût des composants.

Par conséquent, vous conciliez les exigences technologiques avec les contraintes économiques d’un projet.

Maîtrisez le fonctionnement des mémoires statiques ou dynamiques et concevez des architectures reprogrammables

D’abord, ce parcours applique une démarche d’ingénierie approfondie.

Ainsi, vous liez les principes physiques des semi-conducteurs aux applications informatiques.

Ensuite, vous étudiez les structures des ROM à diodes ou à transistors.

Alors, vous configurez des fonctions de logique combinatoire et des blocs complexes.

Puis, vous découvrez l’univers des mémoires vives.

De fait, vous comparez la stabilité du circuit flip-flop aux cycles de rafraîchissement.

À la suite de cela, vous maîtrisez les condensateurs des structures dynamiques.

Par ce biais, vous programmez des puces avancées de type PROM ou EPROM.

Finalement, vous utilisez des technologies effaçables électriquement pour assurer la non-volatilité des programmes.

Explorez les composants d’avant-garde et intégrez les systèmes de traitement de données du futur

D’abord, cette progression technique vous ouvre les portes des technologies de stockage de masse.

Ainsi, vous découvrez les ruptures majeures de la microélectronique moderne.

Ensuite, vous assimilez la dynamique des registres à décalage.

Alors, vous manipulez les piles logicielles ou matérielles de type FIFO et LIFO.

Puis, vous pénétrez dans l’étude des dispositifs à transfert de charges.

En effet, cette mécanique logique vous pousse à décoder le fonctionnement magnétique complexe.

De plus, vous analysez les mémoires à bulles et les réseaux logiques programmables.

Enfin, vous manipulez des appareils de laboratoire spécialisés.

Par conséquent, vous maîtrisez totalement les simulateurs de mémoires mortes pour concevoir des microprocesseurs.

–Caractéristiques–

• Titre : Mémoires intégrées – Fonctionnement, choix, utilisation

• Auteur : Lilen (H.)

• Édition : Edition Radio

• Dimensions : 15,7 x 24 x 1,7 cm

• Nombre de pages : 288 pages

• Dépôt légal : 1977

• Code : 9782709107235

Lilen (H.)

Envoi soigné et Déposé en 48h (jours ouvrables) Edition Radio 15,7 x 24 x 1,7 cm 288 pages depot légal : 1977 Bon Etat

Résumé

Mémoires intégrées – Fonctionnement, choix, utilisation : Maîtrisez l’architecture des systèmes numériques et optimisez vos conceptions électroniques

D’abord, vous dominez l’univers des composants semi-conducteurs.

Ainsi, vous propulsez vos compétences en ingénierie électronique à un niveau supérieur.

Ensuite, l’expert H. Lilen rédige cette véritable bible technique.

De fait, cet ouvrage de référence décortique l’intégralité des technologies de stockage de données.

Alors, vous découvrez des puces classiques et des innovations très pointues.

Puis, vous comprenez le fonctionnement interne des circuits complexes.

De même, vous sélectionnez le composant parfait pour vos architectures de microprocesseurs.

Par conséquent, ce manuel vous transmet les clés mathématiques, physiques et logiques.

Finalement, vous prenez des décisions d’ingénierie stratégiques et sans fausse note.

Pourquoi lire ce livre ?

Devenez un expert des mémoires RAM et ROM

D’abord, vous assimilez les subtilités architecturales entre les structures statiques et dynamiques.

Ensuite, vous étudiez en détail les technologies reprogrammables comme les puces PROM ou EPROM.

Par ce biais, vous concevez des systèmes informatiques particulièrement performants.

Optimisez vos choix de circuits industriels

D’abord, vous comparez efficacement les critères clés de consommation et de volatilité.

Ainsi, vous analysez la vitesse, le prix et la capacité des composants.

Pour cela, vous utilisez des fiches de circuits standards issus des géants du secteur.

Maîtrisez les technologies de pointe et de rupture

D’abord, vous explorez des concepts d’avant-garde comme les mémoires à bulles magnétiques.

Ensuite, vous étudiez les transferts de charges et les réseaux logiques programmables.

Alors, vous prenez une longueur d’avance grâce aux systèmes cryogéniques ou laser.

Appliquez vos connaissances à des cas concrets de programmation

D’abord, vous mettez en pratique vos précieux acquis théoriques.

Pour cela, l’auteur présente des exemples concrets de conversion de codes.

Puis, vous analysez le fonctionnement des simulateurs et des programmateurs de puces.

Naviguez facilement grâce à une structure académique ultra-précise

D’abord, vous progressez de manière stimulante à l’aide d’un découpage rigoureux en 17 chapitres.

De plus, une liste complète des fabricants du secteur enrichit l’ouvrage.

Par conséquent, vous liez immédiatement la théorie de l’ingénieur à la réalité du marché.

Table des matières

Liste des chapitres…5

Chapitre I. — L’arsenal des mémoires…7

Le classement fonctionnel des mémoires intégrées…7

Mémoires à accès aléatoire…8

2.1. Mémoires vives (RAM)…10

2.1. Mémoires mortes (ROM, PROM, EPROM)…10

• Mémoires à accès séquentiel…14
• Mémoires associatives…15

Registres et piles…15

Mémoires « diverses »…15

Les marchés…16

Chapitre II. — Caractéristiques des mémoires…17

Fonctions et organisation des mémoires…17

Structure-type d’une mémoire…20

Les temps caractéristiques…22

La consommation…25

La présentation des circuits…29

La volatilité…29

Les technologies…29

La destructibilité…31

La capacité des mémoires…32

Sorties 3 états…32

Le prix…35

Chapitre III. — Mémoires mortes : Les ROM…37

Principes…37

1.1. Principe du point-mémoire…37

1.2. La matrice à diodes…38

1.3. ROM à transistors…40

1.4. Choix de la technologie…42

Exemples de circuits…45

2.1. ROM de 2 K, en MOS, type 1302…45

2.2. ROM bipolaires…45

2.3. ROM de 16 K bits, en MOS, type 2316 E…45

2.4. ROM de 32 K bits…47

2.5. La CROM…47

2.6. La 64 K de National Semiconductor…48

Applications…48

3.1. Principes…48

3.2. Intérêt des ROM…49

3.3. Conversion de codes…51

3.4. Fonctions de logique combinatoire…51

3.5. Circuits séquentiels…51

3.6. Microprogrammation…51

3.7. Le décodage d’instructions et de micro-instructions…52

3.8. Mémoires de programme…52

3.9. Un générateur de signal…54

3.10. Comparateur 4 bits…54

3.11. Commande de distribution de café…56

Chapitre IV. — Mémoires vives : Les RAM statiques…57

Introduction aux RAM…57

1.1. Définition de la RAM…57

1.2. RAM statiques ou RAM dynamiques ?…59

1.3. Les temps typiques…61

Principes des RAM statiques…63

2.1 Fonctionnement du flip-flop…63

2.2. Les cellules-mémoires MOS…64

● La cellule de base…64

● Cellule à 8 transistors…65

2.3. Alimentation pulsée…65

2.4. Charges à déplétion…66

2.5. La mise en veilleuse…67

2.6. Cellule à 5 transistors…69

2.7. MOS complémentaires…69

2.8. CMOS/SOS…71

2.9. Cellules bipolaires…72

Exemples de RAM statiques…75

3.1. RAM bipolaires…75

3.2. RAM statiques en MOS monocanaux…76

3.3. La mémoire en VMOS…80

3.4. RAM en CMOS…81

3.5. La MWS 5501 de RCA, en SOS…81

3.6. La RAM pseudo-statique « à pompage »…83

Applications…83

4.1. Informatique…83

4.2. La non-volatilité apparente…83

• ● Conservation de l’informatique par batterie à tension nominale…84
• ● Conservation de l’informatique sous faible tension…85
• ● Régime pulsé…85
• ● Utilisation des CMOS…88

4.3. Les plans-mémoires…89

Chapitre V. — Mémoires vives : Les RAM dynamiques…90

Principe des cellules dynamiques…91

1.1. Le condensateur de mémorisation…91

1.2. Cellules à 1 transistor MOS…92

1.3. Cellules à 3 transistors MOS…93

1.4. La précharge…94

1.5. Le rafraîchissement…96

1.6. Organisation d’une RAM dynamique…97

1.7. La cellule dynamique bipolaire en I2 L…98

RAM pseudo-dynamiques…100

Exemples de RAM dynamiques…103

3.1. Un standard de l’industrie : la 1103 Intel, de 1 K…103

3.2. La MK 4006 Mostek, de 1 K…105

3.3. Note à propos du rafraîchissement…106

3.4. Les RAM de 4 K…107

3.5. La TMS 4030 à boîtier 22 broches…107

3.6. La MK 4096 à boîtier 16 broches…111

3.7. La MM 5270 à boîtier 18 broches…114

3.8. Boîtier 16, 18 ou 22 broches pour les 4 K ?…114

3.9. Les RAM dynamiques en I2L…116

3.10. La 16 K TMS 4070 de Texas…116

3.11. La 16 K 2116 de Intel…121

3.12. La 16 K MK 4116 P de Mostek…124

3.13. La 64 K de Texas…124

Applications…124

4.1. Le choix entre RAM statiques et RAM dynamiques…124

4.2. La réalisation des plans-mémoires…126

4.3. Circuits de rafraîchissement…128

Chapitre VI. — Mémoires mortes programmables : Les PROM…129

Principes…129

1.1. Les technologies…129

1.2. PROM à fusible…130

1.3. Programmation de la PROM à fusibles…132

1.4. PROM à court-circuit de jonction…134

1.5. Problèmes de fiabilité…135

Exemples de circuits…135

2.1. La PROM 0512 de Harris, à fusibles…135

2.2. La IM 5600 de Intersil, à court-circuit de jonction…138

2.3. Les HM-7640/7641 de 4 K bits, à fusibles…140

2.4. PROM en CMOS…140

Applications…143

3.1. Trois applications des réseaux de diodes à fusibles…143

3.2. La mise en veilleuse…143

3.3. Avantages et inconvénients des PROM…146

Chapitre VII. — Mémoires mortes effaçables par UV et reprogrammables : Les EPROM (ou REPROM)…147

Principes…147

1.1. Pourquoi des mémoires mortes ré-inscriptibles…147

1.2. Le transistor FAMOS…148

Exemples de circuits…150

2.1. Les EPROM types 1701 et 1702 de Intel…150

2.2. La 2716 de 16 K bits…152

Applications…153

3.1. Avantages et inconvénients des EPROM…153

3.2. Applications aux microprocesseurs…154

Chapitre VIII. — Mémoires mortes effaçables électriquement et reprogrammables : Les EEROM (ou EAROM)…155

Principes…156

1.1. Le transistor MNOS…156

1.2. La cellule DIFMOS…156

1.3. La cellule de NEC…159

1.4. La silice dopée au tungstène de Bell…161

Exemples de circuits…161

2.1. Les EAROM de General Instrument…161

2.2. Les circuits de Plessey…162

2.3. Structure MNOS de IBM…165

2.4. Le μ PD 458 de NEC…167

Applications…167

3.1. Principaux domaines…167

3.2. Extension du réseau-mémoire…168

3.3. Tuner numérique pour télévision…169

Chapitre IX. — Mémoires à accès séquentiels : Les registres à décalage…170

Principes…171

1.1. Les technologies…171

1.2. Rôle de l’horloge…171

1.3. Les types de registres…173

1.4. Les registres statiques biphases…176

1.5. Les registres dynamiques à inverseurs proportionnels…176

1.6. Registres dynamiques non proportionnels à précharge…179

1.7. Registres dynamiques alimentés par les horloges…183

1.8. Registres en CMOS…183

1.9. Registres à longueur ajustable…183

1.10. Registres rebouclés…186

Exemples de registres…186

2.1. Registres bipolaires…186

2.2. Registres MOS…187

2.3. Registres en CMOS…187

Applications…189

3.1. Additionneur série de mots de n bits…190

3.2. Séquencement…192

Chapitre X. — Technologies à transfert de charges : CTD, CCD, BBD…193

Principes…193

1.1. Les CCD…194

1.2. Les BBD…197

1.3. Les SCT…199

1.4. Canal enterré et PCCD…199

1.5. Organisation en mémoires…201

Exemples de circuits…204

2.1. Le CCD 450, registre à décalage de 9 K bits…204

2.2. Les RAM de 16 K bits…204

2.3. Mémoires de 64 K bits…207

Applications…208

3.1. Principes…208

3.2. La cyclomémoire…209

Chapitre XI. — Mémoires à bulles magnétiques (MBM) et à propagation de domaines…210

Principes…211

1.1. Mémoires à bulles et mémoires à propagation de domaines…211

1.2. Fonctionnement des MBM…211

• ● Rôle du champ magnétique…211
• ● L’écriture…212
• ● La lecture…212
• ● La duplication…214
• ● La mémorisation de l’information…214
• ● L’annihilation…214
• ● Le transfert…214
• ● Présentation…215

1.3. Technologie et caractéristiques des MBM…215

1.4. Organisation de la MBM…216

1.5. La mémoire à propagation de domaines…217

Exemples de circuits…218

2.1. La MBM de Texas…218

2.2. La mémoire à propagation de domaines de Crouzet…221

Applications…223

3.1. Les gammes d’applications…223

3.2. Mémoires de masse pour micro-ordinateurs…224

3.3. Applications de mémoires à propagation de domaines…224

Chapitre XII. — Les registres et piles LIFO et FIFO…227

Principes…227

1.1. Les registres…227

1.2. Les piles FIFO et LIFO…228

1.3. Piles matérielles et logicielles…229

Exemples de circuits…230

2.1. Piles FIFO de 16 mots de 4 bits…230

2.2. Piles LIFO…230

Applications…230

3.1. Registres…230

3.2. La pile FIFO en interface…231

3.2. La pile LIFO de sauvegarde…232

Chapitre XIII. — Mémoires associatives : Les CAM…233

Principes…233

Exemples de circuits…239

Applications…240

Chapitre XIV. — Mémoires à verre semi-conducteur : Les RMM ovoniques…241

Principes…241

Exemples de mémoires…244

Applications…246

Chapitre XV. — Les réseaux logiques programmables : PLA et FPLA…249

Principes…250

1.1. Intérêt des PLA par rapport aux ROM…250

1.2. Conception des PLA…251

Exemples de circuits…252

2.1. Les 82 S 100/101 de Signetics (RTC)…252

2.2. Le IM 5200 d’Intersil…254

2.3. Le réseau rapide MOS d’IBM…257

2.4. Les TMS 2000 et 2200 de Texas…259

2.5. Autres PLA…259

Applications…260

3.1. Principes des applications…260

3.2. Décodage d’instructions et de micro-instructions…261

3.3. Conversion de codes…261

3.4. Commandes séquentielles…262

3.5. Sélection de périphériques…262

3.6. Codage hiérarchisés…262

Chapitre XVI. — Autres types de mémoires : BEAMOS, cryogéniques, à laser, etc….263

La mémoire BEAMOS, association de MOS et d’un tube à vide…263

Mémoires utilisant un laser…264

Mémoires à supraconducteurs…266

RAM à programmation optique…267

Le DIAM, mémoire acoustique…269

Chapitre XVII. — Quelques appareils pour mémoires…270

Le simulateur de mémoires mortes…270

1.1. Rôle du simulateur…270

1.2. Fonctionnement…272

Le programmateur de PROM ou de EPROM…274

2.1. Le système d’effacement UV…277

Les fabricants de mémoires intégrées…278

Table des matières…281

Quatrième de couverture

Le problème du choix des mémoires intégrées

Comment sélectionner la mémoire intégrée précise qu’exige votre application ?

Pour répondre à cette question, H. Lilen vous présente dans son livre toute la gamme des mémoires intégrées avec leurs caractéristiques, leurs particularités et la signification de leurs sigles souvent obscurs. L’auteur y explique le fonctionnement de ces circuits et montre leurs multiples applications, schémas pratiques à l’appui.

Les différents types de mémoires abordés

Des chapitres spéciaux sont consacrés aux RAM, ROM, EPROM, REPROM, EAROM, mémoires à CCD et à bulles magnétiques, registres et piles (FIFO, LIFO), etc., dans une orientation pratique qui répond exactement aux besoins actuels.

Le public visé

Clair, pratique et illustré de nombreuses figures, cet ouvrage s’adresse à tous ceux qui ont ou auront affaire aux mémoires intégrées : concepteurs et réalisateurs de circuits ou de systèmes, électroniciens, informaticiens, automaticiens, ingénieurs, étudiants…

Le livre indispensable qu’il faut étudier, consulter et reconsulter.

ISBN – 2-7091 – 0723-6